YQ20BGE10SDTL_肖特基二极管与整流器 Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe

YQ20BGE10SDTL

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制造商：

ROHM Semiconductor

制造商型号：

YQ20BGE10SDTL

制造商类别：

肖特基二极管与整流器

封装：

封装:Cut Tape

批号：

2023

库存：

1

描述

肖特基二极管与整流器 Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe

型号属性

封装

Reel

封装

Cut Tape

标准包装数量

2500

描述

2023-11-26 10:16:23

0次

放大器与比较器

YQ20BGE10SDTL代理,YQ20BGE10SDTL供应商

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