AFV121KHR5_射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V

AFV121KHR5

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制造商：

NXP Semiconductors

制造商型号：

AFV121KHR5

制造商类别：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

封装：

标准包装数量:50

批号：

2023

库存：

描述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V

型号属性

封装

Reel

标准包装数量

50

描述

2023-11-26 10:16:23

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接口IC

AFV121KHR5代理,AFV121KHR5供应商

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