A2T27S020GNR1_射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V

A2T27S020GNR1

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制造商：

NXP Semiconductors

制造商型号：

A2T27S020GNR1

制造商类别：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

封装：

标准包装数量:500

批号：

2023

库存：

描述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V

型号属性

封装

Reel

标准包装数量

500

描述

2023-11-26 10:16:23

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接口IC

A2T27S020GNR1代理,A2T27S020GNR1供应商

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