MRFE6VP6600GNR3_射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

MRFE6VP6600GNR3

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制造商：

NXP Semiconductors

制造商型号：

MRFE6VP6600GNR3

制造商类别：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

封装：

标准包装数量:250

批号：

2023

库存：

描述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

型号属性

封装

Reel

标准包装数量

250

描述

2023-11-26 10:16:23

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接口IC

MRFE6VP6600GNR3代理,MRFE6VP6600GNR3供应商

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