A3V07H600-42NR6_射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 616-870 MHz, 112 W Avg., 48 V

A3V07H600-42NR6

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制造商：

NXP Semiconductors

制造商型号：

A3V07H600-42NR6

制造商类别：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

封装：

标准包装数量:150

批号：

2023

库存：

1

描述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 616-870 MHz, 112 W Avg., 48 V

型号属性

封装

Reel

标准包装数量

150

描述

2023-11-26 10:16:23

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接口IC

A3V07H600-42NR6代理,A3V07H600-42NR6供应商

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