A2T21H100-25SR3_射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 18 W Avg., 28 V

A2T21H100-25SR3

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制造商：

NXP Semiconductors

制造商型号：

A2T21H100-25SR3

制造商类别：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

封装：

标准包装数量:250

批号：

2023

库存：

描述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 18 W Avg., 28 V

型号属性

封装

Reel

标准包装数量

250

描述

2023-11-26 10:16:23

0次

接口IC

A2T21H100-25SR3代理,A2T21H100-25SR3供应商

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